優(yōu)質先進材料助力降本增效
恒普可為各類組件、載體提供專門的碳化鉭（TaC）涂層。通過恒普行業(yè)領先的涂層工藝，可以使得碳化鉭（TaC）涂層獲得高純度、高溫穩(wěn)定性和高化學耐受性，可改善SiC/GAN晶體和EPI層的產(chǎn)品質量，并延長關鍵反應堆成分的壽命。
恒普推出全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭,主要用于氣相組元過濾，調(diào)整局部溫度梯度，引導物質流方向，控制泄露等。可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。
恒普生產(chǎn)的先進石墨產(chǎn)品，主要應用于半導體等領域。憑借我們對先進材料和專業(yè)工程領域的深入了解，使得我們能夠開發(fā)極具純度和出色孔隙率的產(chǎn)品，同時能夠保持優(yōu)秀的絕緣特性。我們提供的高標準多孔石墨，能夠提高效率，提高產(chǎn)量。在一系列應用中，我們的產(chǎn)品主要用于晶體生長【一次傳質】新工藝。我們也愿意繼續(xù)幫助制造商致力于在其產(chǎn)品開發(fā)中實現(xiàn)更高的性能和可靠性。
用于導電單晶生長，8-40目/mesh顆粒度精確可控，純度不低于99.9995%純度：指采用GDMS全元素檢測（不含N元素），使用100%減去所測元素含量所得值，其中小于檢測限的元素按照0%的濃度進行統(tǒng)計
